السيد مساعد رئيس الجامعة للشؤون العلمية ا.د فلاح حسن الاسدي ينشر بحث علمي في مجلة Micro and Nanostructures ضمن دار النشر Elsevier والمصنفة Q4 ضمن مستوعبات Scopus

السيد مساعد رئيس الجامعة للشؤون العلمية ا.د فلاح حسن الاسدي ينشر بحث علمي في مجلة Micro and Nanostructures ضمن دار النشر Elsevier والمصنفة Q4 ضمن مستوعبات Scopus

في هذا البحث (Designing sub-5 nm monolayer AlP MOSFETs) تم تصميم موسفيت ترانزستور مزدوج البوابة من فوسفيد الألمونيوم احادي الطبقة ثنائي الابعاد بطول بوابة 5 نانومتر باستخدام نهج النقل الكميab-initio .

تشير النتائج التي توصلنا اليها ان هذا الترانزستور يفي بمتطلبات خارطة الطريق الدولية لتكنولوجيا أشباه الموصلات (ITRS) لعام 2028 بطول بوابة 5 نانومتر في تصنيع المعالجات (Processor) والذاكرات العشوائية (Ram) لكل من أجهزة الأداء العالي (High-Performance devices) كالكومبيوترات المكتبية والتي تتميز بأداء عالٍ مع قواعد التصميم الأكثر صرامة، وأقل تكلفة، ودعم قياسي لجهد تشغيل أعلى، والأجهزة منخفضة الطاقة (Low-Power devices) كالكومبيوترات المحمولة والهواتف النقالة والتي تتميز بقواعد تصميم الميزات المستهدفة لأدنى تسرب ، ودعم الفولتية التشغيلية المنخفضة.

يتميز هذا الترانزستور بأداء عالٍ من حيث تيار التشغيل، التسرب، سرعة التشغيل، الاستقرار عند درجات حرارة عالية، وانخفاض التكلفة مقارنةً بمثيلاته، كما يمكنه العمل بطول بوابة اقل من 5 نانومتر ولغاية 3 نانومتر من النوع p وطول بوابة 4 نانومتر من النوع n لأجهزة الأداء العالي مما يسهم بتمديد قانون مور (Moore’s Law) الى ما بعد عصر السليكون.

السيد مساعد رئيس الجامعة للشؤون العلمية ا.د فلاح حسن الاسدي ينشر بحث علمي في مجلة Micro and Nanostructures ضمن دار النشر Elsevier والمصنفة Q4 ضمن مستوعبات Scopus
5/5